石墨烯置于合金化过渡金属硫族化物上的邻近自旋轨道耦合

石墨烯中可忽略的本征自旋轨道耦合（SOC）可通过石墨烯与过渡金属硫族化物（TMDCs）堆叠异质结构中的邻近效应得到增强。TMDC 层的组成在决定石墨烯层中诱导出的 SOC 的性质与强度方面起着关键作用。在此，我们研究当 TMDC 层被有意引入缺陷时，邻近诱导 SOC 的演化。我们使用密度泛函理论模拟了具有不同组成（$\chi$）与缺陷分布的合金化 ${\rm G/W_{\chi}Mo_{1-\chi}Se_2}$ 异质结构。通过与连续介质模型及紧束缚模型的比较，可厘清金属原子合金化在局域与全局上的特征。我们的结果表明，尽管单个缺陷的局域参数受到剧烈扰动，低能自旋与电子行为遵循一种简单的有效介质模型，该模型仅依赖于 TMDC 层中金属组分的组成比例。此外，我们证明此类合金化系统的拓扑态可通过控制该比例而被可行地调控。