过渡金属硫族化物单层及其与石墨烯异质结构中的弱局域化
介观与纳米尺度物理
2019-05-15 v2
摘要
我们计算了掺杂过渡金属硫族化物（TMDC）单层电导的干涉修正。由于谷结构与本征自旋轨道耦合（SOC）之间的相互作用，这些材料表现出丰富的弱局域化（WL）行为，其在性质上不同于常规金属或类似二维材料（如石墨烯）。我们的结果也可用于描述石墨烯/TMDC 异质结构，其中 SOC 在石墨烯层中诱导产生。我们讨论了超越现有理论的新参数区间，可用于解释近期实验以评估 SOC 和无序的强度。此外，我们表明面内塞曼场可用于区分不同类型 SOC 对 WL 磁电导的贡献。
引用
@article{arxiv.1808.05872,
title = {Weak localization in transition metal dichalcogenide monolayers and their heterostructures with graphene},
author = {Stefan Ilic and Julia S. Meyer and Manuel Houzet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.05872},
year = {2019}
}
备注
15 pages, 6 figures