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过渡金属二硫族化物衬底上石墨烯的介电性质

介观与纳米尺度物理 2017-11-22 v2 材料科学

摘要

本文报道了在过渡金属二硫族化物(TMDC)(即 XY2,X = Mo, W; Y = S, Se)上的石墨烯单层中,由衬底驱动相互作用(SDI)和源于铁磁杂质的交换场(M)在 K 和 K' 点附近诱导的介电性质的可调性。这一系列相互作用包括子晶格分辨的、显著增强的内禀自旋轨道耦合(SOC)、外禀 Rashba 自旋轨道耦合(RSOC),以及与电荷从石墨烯转移到 XY2 相关的轨道能隙。RSOC 允许对石墨烯的带隙进行外部调控,并通过自旋翻转连接最近邻。由于 SDI 的相互作用,我们得到了具有有效、依赖于 RSOC 的 Zeeman 场的通常有能隙的能带。利用这些能带,我们得到了有限掺杂情形下介电函数的闭合解析表达式。介电函数的零点对应于集体模式。在纳入石墨烯在 TMDC 上的完整色散后,我们发现实际上只存在一种集体模式,它对应于电荷等离激元。后者的色散呈现出 q2/3q^{2/3} 行为,而非众所周知的 q1/2q^{1/2} 行为。我们还发现,等离激元频率可以通过调节化学势来改变。

关键词

引用

@article{arxiv.1612.02359,
  title  = {Dielectric properties of graphene on transition metal dichalcogenide substrate},
  author = {Partha Goswami},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1612.02359},
  year   = {2017}
}

备注

26 pages,8 figures