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小分子半导体中分子内电子自旋弛豫的重要性

材料科学 2015-05-19 v1 软凝聚态物质

摘要

利用避免能级交叉μ子谱学作为局域自旋探针,研究了不同形貌和分子结构的几种有机半导体的电子自旋弛豫率(eSR)。我们发现两种功能化并苯(多晶三(异丙基)硅基并五苯和非晶5,6,11,12-四苯基并四苯)表现出具有阿伦尼乌斯型温度依赖性的eSR,每种都有两个特征能量尺度,类似于振动所预期的。多晶三(8-羟基喹啉)镓表现出类似行为。这些分子在300 K时观察到的eSR不超过0.85 MHz。这些分子所具有的晶体结构和输运机制的多样性,以及探针的局域性质,强烈表明这是一种普遍存在于许多有机半导体中的分子内现象,与通常基于分子间载流子输运的自旋弛豫模型形成对比。

关键词

引用

@article{arxiv.1006.2651,
  title  = {The importance of intra-molecular electron spin relaxation in small molecular semiconductors},
  author = {L. Schulz and M. Willis and L. Nuccio and P. Shusharov and S. Fratini and F. L. Pratt and W. P. Gillin and T. Kreouzis and M. Heeney and N. Stingelin and C. A. Stafford and D. J. Beesley and C. Bernhard and J. E. Anthony and I. Mckenzie and J. S. Lord and A. J. Drew},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1006.2651},
  year   = {2015}
}