Ge/Si纳米线双量子点中自旋阻塞的磁场演化
介观与纳米尺度物理
2017-04-19 v1
摘要
我们在Ge/Si核/壳纳米线中定义的双量子点上进行了输运测量，并聚焦于每个量子点占据数十个空穴状态下的泡利自旋阻塞。我们通过漏电流的磁场依赖性来识别自旋阻塞。我们发现零场下漏电流同时存在凹陷和峰值。我们根据量子点参数（如与引线的耦合、点间隧穿耦合以及自旋轨道相互作用）分析此行为。我们发现了自旋轨道相互作用的下限，其 nm。我们还提取出大而各向异性的有效朗德g因子，其中垂直于纳米线轴方向的g因子较大，这与先前的研究和实验一致，但本文报道的值更大。
引用
@article{arxiv.1610.04596,
title = {Magnetic Field Evolution of Spin Blockade in Ge/Si Nanowire Double Quantum Dots},
author = {Azarin Zarassi and Zhaoen Su and Jeroen Danon and Jens Schwenderling and Moira Hocevar and Binh-Minh Nguyen and Jinkyoung Yoo and Shadi A. Dayeh and Sergey M. Frolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.04596},
year = {2017}
}