无序半导体中的电偶极诱导自旋共振
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
自旋电子学的标志之一是通过半导体中强自旋轨道耦合（SOI）实现电场对磁矩的控制。在这种结构中操纵自旋的一种强大方法是电偶极诱导自旋共振（EDSR），其中驱动自旋的射频场是电场，而非标准顺磁共振中的磁场。在此，我们提出了在存在无序的情况下，二维电子气中 EDSR 的理论研究，其中随机杂质不仅决定了电阻，还通过 SOI 影响自旋动力学。考虑电场和磁场平行且在面内的特定几何结构，我们证明了在共振时磁化强度会产生一个面外分量，该分量在存在无序的情况下依然存在。我们还讨论了由 EDSR 产生的自旋霍尔电流。这些结果是通过图解方法推导得出的，主要效应来自自旋顶点修正，并确定了观测的最佳参数区间。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605735,
title = {Electric Dipole Induced Spin Resonance in Disordered Semiconductors},
author = {Mathias Duckheim and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605735},
year = {2007}
}