GaAs 缓冲层对 Vy(BixSb1-x)2-yTe3 量子异常霍尔绝缘体的影响
材料科学
2024-09-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了利用分子束沉积在 GaAs(111)A 衬底上生长的量子异常霍尔绝缘体 Vy(BixSb1-x)2-yTe3 (VBST) 的生长、结构表征及输运性质。X 射线衍射和透射电子显微镜显示，采用 GaAs 缓冲层可显著提高晶体质量和界面质量，与直接生长于 InP 衬底的对照样品相比效果更佳。尽管两种样品的结构属性不同，但均表现出量子异常霍尔效应 (QAHE)，且在热力学稳定性方面表现相似。值得注意的是，生长于 GaAs 缓冲层的样品其 QAHE 显示出显著更大的（几乎翻倍的） coercive 场，并且在磁化反转时电阻峰值明显减小。讨论了界面质量对 VBST 磁性质及 QAHE 的可能影响。
引用
@article{arxiv.2407.12268,
title = {Effects of GaAs buffer layer on quantum anomalous Hall insulator Vy(BixSb1-x)2-yTe3},
author = {Yusuke Nakazawa and Takafumi Akiho and Kiyoshi Kanisawa and Hiroshi Irie and Norio Kumada and Koji Muraki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.12268},
year = {2024}
}
备注
16 pages, 4 figures. The following article has been accepted by Applied Physics Letter. After it is published, it will be found at https://pubs.aip.org/aip/apl