中等弯曲应变诱导硅纳米线的半导体-金属转变
介观与纳米尺度物理
2017-03-14 v1
摘要
约3%的中等弯曲应变足以诱导直径约4nm的硅纳米线发生半导体-金属转变。利用分子动力学和量子输运模拟，研究了弯曲对直径1 nm至4.3 nm硅纳米线的影响。分析了纳米线中的局部应变，以及弯曲应变和纳米线直径对电子输运和传输能隙的影响。有趣的是，发现相对较宽的纳米线在相对较低的弯曲应变下发生半导体-金属转变。随后将弯曲应变对电子性质的影响与传统的单轴应变方式进行了比较，结果表明，在实验上可实现的硅纳米线中，弯曲是一种更有效的应变方式，可增强电子输运并诱导半导体-金属转变。
引用
@article{arxiv.1703.04220,
title = {Moderate bending strain induced semiconductor to metal transition in Si nanowires},
author = {M. Golam Rabbani and Sunil R. Patil and M. P. Anantram},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.04220},
year = {2017}
}
备注
18 pages, 5 figures, journal