[110]方向PMOS纳米线器件对尺寸变化低敏感性的设计空间：量子化质量各向异性的影响
介观与纳米尺度物理
2009-01-30 v1 材料科学
摘要
采用20带sp³d⁵s*自旋-轨道耦合的半经验原子紧束缚模型，结合半经典弹道场效应晶体管(FET)模型，研究了[110]方向PMOS纳米线器件的开态电流对尺寸变化的响应。考察了边长从3nm到12nm的无限长均匀矩形纳米线，识别并解释了宽度与高度变化下显著不同的行为。确定了设计区域，其中开态电流对可能因线宽控制不足而导致的显著宽度变化不敏感。同时识别了开态电流对微小高度变化高度敏感的区域。全带模型的考量表明，在由结构侧向尺寸变化引起的体反型向表面反型输运转变的起始点，开态电流可观察到翻倍现象。应变工程可以平滑或调节此类对尺寸变化的敏感性。所描述的电流变化根源在于纳米线的结构量子化行为，这为其他开态电流变化机制（如表面粗糙度、声子散射等）提供了额外的变化机制。
引用
@article{arxiv.0901.4657,
title = {Design space for low sensitivity to size variations in [110] PMOS nanowire devices: The implications of anisotropy in the quantization mass},
author = {Neophytos Neophytou and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.4657},
year = {2009}
}
备注
24 pages, 5 figures