基于三层 MoSe2 的可重构单双量子点输运
介观与纳米尺度物理
2026-04-15 v1 材料科学
摘要
我们报道了一种基于三层 MoSe2 器件的栅极可控量子点输运。该器件组合了置于活性区域下方的石墨背栅、用于导通接入区域的独立全局栅以及局部指纹栅。 在低背栅 regime 中，偏压光谱显示单量子点输运特征的常规库仑阻塞菱形图案。随着背栅电压增大，出现额外的低偏压结构，超出简单单量子点模式，表明静电场景观被重塑且第二个量子点在输运中变得活跃。在更高的背栅 regime 中，通过 plunger 栅调谐和双栅测量，确认构成可重构的双量子点配置，具有两个非等价的量子点，其相对对齐和量子点间耦合随栅压变化而演化。这些结果表明，三层 MoSe2 在当前器件架构下支持可通过电气重构的单-双量子点输运。
引用
@article{arxiv.2604.12510,
title = {Gate-Reconfigurable Single- and Double-Dot Transport in Trilayer MoSe2},
author = {Seungwoo Lee and Minjun Park and Yunsang Noh and Sung Jin An and Soyun Kim and Minseo Cho and Dohun Kim and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Minkyung Jung and Youngwook Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.12510},
year = {2026}
}