二维二硫族化钼光学性质激光诱导变化的超低功率阈值

传统半导体的光学响应依赖于实验中使用的激光激发功率。对于二维（2D）半导体，由于终极薄层、高表面体积比以及激光-膜相互作用效应带来的复杂性，预期激光激发效应将大不相同。我们在本文中展示，在激光激发下，2D 材料的光学性质发生不可逆变化。最令人惊讶的是，这些效应甚至在通常被认为无侵入性的低稳态激发下也会发生。在低温光致发光（PL）中，我们针对通过不同技术生长的单层（ML）MoSe2 样品显示，与中性激子发射相比，激光处理显著增加了 trion（即带电激子）对发射的贡献。对剥离到不同基底上的样品的比较表明，对于 SiO2/Si 上的 ML MoSe2，激光诱导掺杂比 h-BN 和金上更高效。对于 ML MoS2，我们展示暴露于平均功率在 $\mu$W/$\mu$m$^2$ 范围内的激光辐射不仅增加了 trion 与激子的 PL 发射比，而且可能导致中性激子 PL 发射的不可逆消失以及主 PL 峰向低能方向移动。