二维半导体在激子态附近的第二和第三阶光学极化率
介观与纳米尺度物理
2021-09-01 v1
摘要
半导体过渡金属硫族化合物(TMDs)具有显著的非线性光学效应。本工作中,我们利用与 MoS2、MoSe2 和 WS2 单层中的激子共振的二次谐波产生(SHG)和四波混频(FWM)光谱来表征这些材料的非线性光学性质。我们表明,三激子和激子负责增强非线性光学响应,并通过与光致发光光谱比较确定了激子和三激子能量。此外,我们提取了激子能量附近的二阶和三阶光学面极化率,并与文献中的数值进行比较。我们还展示了在单层 MoS2 的可见光区域宽光谱范围内产生不同非线性效应的能力,为使用二维材料用于非线性光电子和光子应用开辟了可能性。
引用
@article{arxiv.2101.10319,
title = {Second- and third-order optical susceptibilities in bidimensional semiconductors near excitons states},
author = {Lucas Lafeta and Aurea Corradi and Tianyi Zhang and Ethan Kahn and Ismail Bilgin and Bruno R. Carvalho and Swastik Kar and Mauricio Terrones and Leandro M. Malard},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.10319},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 4 figures