二元及三元过渡金属硫族化物单层与异质结构的脉冲热沉积
材料科学
2019-05-22 v2
摘要
过渡金属硫族化物（TMDC）在光子、光电子或谷电子器件中的应用，需要在单一工艺中生长不同材料的连续单层、异质结构与合金。我们提出一种简便的脉冲热沉积方法，可精确控制二维体系的层厚与化学计量比。该方法的多功能性在MoWS三元单层及金属性TaS与半导体性MoS层结合的异质结构上得到展示。所制备的三元单层覆盖 = 0...1的完整组分范围而无相分离。通过吸收与光致发光光谱证明了带隙工程及自旋轨道耦合强度的控制。垂直异质结构生长无混合。高分辨透射电子显微镜证实形成了洁净且原子级 abrupt 的界面。由于金属组分与硫族化物均经热蒸发，因此可制备复杂合金与异质结构。
引用
@article{arxiv.1811.07663,
title = {Pulsed thermal deposition of binary and ternary transition metal dichalcogenide monolayers and heterostructures},
author = {Niklas Mutz and Tino Meisel and Holm Kirmse and Soohyung Park and Nikolai Severin and Jürgen P. Rabe and Emil List-Kratochvil and Norbert Koch and Christoph Koch and Sylke Blumstengel and Sergey Sadofev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.07663},
year = {2019}
}