单层过渡金属硫族化物中激子本征线宽展宽

单层过渡金属硫族化物（TMDs）尽管厚度小于纳米，却是高发光材料，这归因于此类材料所承载的强束缚亮激子的超短（<$1$ ps）辐射寿命。固有的短辐射寿命导致激子带出现大幅展宽，其量级约为光锥本身展宽的两个数量级以上。这一情形需要重新审视传统的光锥图像。我们提出一种修正的光锥概念，将光线 $(\hbar cQ)$ 作为允许辐射复合的广义下界。提出了一种自洽方法，在激子带中包含大幅辐射展宽时该方法至关重要，用于分离均匀激子线宽的辐射与非辐射分量。我们估计本征辐射线宽为 $1.54\pm0.17\$meV，这纯粹源于有限辐射寿命且不存在非辐射退相干过程。作为大辐射极限的直接后果，我们发现由声学声子零点能引起的线宽展宽出乎意料地大（$\sim 0.27$ meV）。这妨碍了本征辐射线宽的精确实验测定，并设定了 $T = 0$ K 时非辐射线宽展宽的基本极限。