掺杂过渡金属硫族化物中激子复合速率的调控
介观与纳米尺度物理
2021-10-27 v1
摘要
单层过渡金属硫族化物（TMDs）是直接带隙半导体，在光子学与光电子学的高级应用中极具前景。因此，理解其辐射与非辐射复合路径之间的相互作用，不仅对基础研究而且对未来纳米级片上器件的设计都至关重要。在此，我们研究了掺杂与激子-激子湮灭（EEA）之间的相互作用及其对不同 TMD 样品及相关异质结构中光致发光量子产率的影响。我们证明，在高掺杂样品中 EEA 阈值升高，其中三子的辐射与非辐射复合占主导。
引用
@article{arxiv.2110.13442,
title = {Tuning exciton recombination rates in doped transition metaldichalcogenides},
author = {Theresa Kuechle and Sebastian Klimmer and Margarita Lapteva and Tarlan Hamzayev and Antony George and Andrey Turchanin and Torsten Fritz and Carsten Ronning and Marco Gruenewald and Giancarlo Soavi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.13442},
year = {2021}
}