强磁场中的单层过渡金属硫族化物：用微观计算验证 Wannier 模型
材料科学
2019-01-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用运动方程（EOM）方法，我们计算了受外磁场扰动的单层过渡金属硫族化物（TMDs）的激子性质。我们将结果与广泛使用的二维材料激子 Wannier 模型以及近期实验结果进行比较。我们发现计算得到的激子跃迁能量与实验结果吻合良好。此外，我们发现使用 EOM 方法计算的激子能量略低于使用 Wannier 模型计算的能量。最后，我们还表明由于激子能量与交换自能修正中相互抵消的变化，介电环境对磁激子跃迁能量的影响极小。
引用
@article{arxiv.1810.06277,
title = {Monolayer transition metal dichalcogenides in strong magnetic fields: Validating the Wannier model using a microscopic calculation},
author = {J. Have and G. Catarina and T. G. Pedersen and N. M. R. Peres},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.06277},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 7 figures