介电与热效应对原子级薄 MoS2 的拉曼与光致发光研究
材料科学
2013-08-20 v2
摘要
原子级薄的二维二硫化钼 (MoS2) 片层因其在未来电子应用中的潜力而备受关注。它们不仅在器件中提供了最佳的平面静电控制，而且易于进行介电工程。在本工作中，我们通过原子层沉积 (ALD) 比较了顶部有无 HfO2 的样品，实验研究了介电效应对单层 MoS2 拉曼和光致发光 (PL) 光谱的影响。基于对热、掺杂、应变和介电屏蔽影响的考量，发现拉曼光谱中的红移主要源于 ALD HfO2 对 MoS2 的调制掺杂，而 PL 光谱中的红移最可能是由 HfO2 施加给 MoS2 的应变所致。我们的工作还表明，由于单层 MoS2 的能带结构对应变具有复杂的依赖性，在解释其拉曼和 PL 光谱时必须谨慎。
引用
@article{arxiv.1211.4136,
title = {Raman and Photoluminescence Study of Dielectric and Thermal Effects on Atomically Thin MoS2},
author = {Rusen Yan and Simone Bertolazzi and Jacopo Brivio and Tian Fang and Aniruddha Konar and A. Glen Birdwell and N. V. Nguyen and Andras Kis and Debdeep Jena and Huili Grace Xing},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.4136},
year = {2013}
}
备注
17 pages, 5 figures