用于在 MoS₂/h-BN 混合结构上沟道化电子输运的分裂栅点接触
介观与纳米尺度物理
2016-11-23 v1
摘要
在二维半导体异质结构上通过静电定义的纳米尺度器件是各种量子电路的基本构建单元。凭借其原子级平整的界面和固有的二维特性，范德瓦尔斯异质结构相较于传统体半导体异质结构具有大规模均匀性、灵活性和便携性的优势。本文展示了在 MoS₂/h-BN 异质结构上分裂栅定义的点接触器件的运行，这是朝着在范德瓦尔斯半导体上实现静电门控量子电路迈出的第一步。我们的器件显示出沟道化电子流的特征以及输运的完全关断，类似于在体半导体异质结构上定义的传统点接触。我们探讨了背栅和漏源电压对夹断特性的作用，并且能够在 4K 至 300 K 的温度范围内通过改变背栅电压来调节夹断特性。
引用
@article{arxiv.1611.07291,
title = {Split-gate point-contact for channelizing electron transport on MoS2/h-BN hybrid structures},
author = {Chithra H. Sharma and Madhu Thalakulam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.07291},
year = {2016}
}