面向840 nm工作的氮化硅宽带非对称定向耦合器
光学
2019-04-01 v1 应用物理
摘要
氮化硅基光子集成电路在近红外至可见光波段提供波长工作窗口，这使其在生命科学应用中颇具吸引力。然而，由于折射率对比度较低，它们表现出比更成熟的绝缘体上硅对应器件显著不同的行为。光子集成电路中最关键的构建模块之一是具有确定耦合比的宽带耦合器。我们提出中心波长840 nm、针对TE与TM类偏振均具有50/50和90/10分光比的氮化硅宽带非对称定向耦合器设计。我们展示利用耦合模理论的通用实现，可以准确且省时的方式设计氮化硅宽带非对称定向耦合器。耦合模理论方法的准确性通过时域有限差分仿真验证，并由四种耦合器构型的测量所确认。
引用
@article{arxiv.1903.12585,
title = {Broadband SiN asymmetric directional coupler for 840 nm operation},
author = {Stefan Nevlacsil and Moritz Eggeling and Paul Muellner and Guenther Koppitsch and Martin Sagmeister and Jochen Kraft and Rainer Hainberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.12585},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 6 figures \c{opyright} 2018 Optical Society of America. Users may use, reuse, and build upon the article, or use the article for text or data mining, so long as such uses are for non-commercial purposes and appropriate attribution is maintained. All other rights are reserved