(Ga,Mn)As 基磁性隧道结中的电流诱导磁化反转
材料科学
2009-11-10 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们报道了在 p-GaAs(001) 衬底上通过分子束外延制备的铁磁半导体基磁性隧道结 (Ga,Mn)As/AlAs/(Ga,Mn)As 中的电流诱导磁化反转。在 10^6 A/cm^2 的激发电流下，发现了相对于电流方向不对称的磁电阻变化。我们检验了非极化和自旋极化分量的贡献，并得出结论：在 10^5 A/cm^2 的自旋极化隧穿电流下，磁化强度较小的 (Ga,Mn)As 层中发生了部分磁化反转。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404663,
title = {Current-induced magnetization reversal in a (Ga,Mn)As-based magnetic tunnel junction},
author = {R. Moriya and K. Hamaya and A. Oiwa and H. Munekata},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404663},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 3 figures