具有垂直磁各向异性的(Ga,Mn)(Bi,As)外延层中电流诱导磁化翻转
材料科学
2025-05-13 v1 应用物理
摘要
本文研究了在(Ga,Mn)(Bi,As)稀磁半导体(DFS)外延层中脉冲电流诱导的磁化翻转，该层在拉伸失配应变下外延生长，从而在层中产生垂直磁各向异性。通过反常霍尔效应测量记录的、在平行于电流的静磁场辅助下出现的磁化翻转，被解释为自旋轨道转矩机制。我们的结果表明，在原型DFS (Ga,Mn)As中掺入少量重Bi原子替代As原子并增强DFS价带中自旋轨道耦合强度，可显著提高电流诱导磁化翻转的效率，从而大幅降低翻转所需的阈值电流密度。我们的发现对自旋轨道转矩驱动的非易失性存储器和逻辑元件的应用具有重要的技术意义。
引用
@article{arxiv.2208.10318,
title = {Current-induced magnetization reversal in (Ga,Mn)(Bi,As) epitaxial layer with perpendicular magnetic anisotropy},
author = {Tomasz Andrearczyk and Janusz Sadowski and Krzysztof Dybko and Tadeusz Figielski and Tadeusz Wosinski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.10318},
year = {2025}
}
备注
8 pages, 5 figures