MoS2江崎二极管负微分电阻的洞察：第一性原理视角
介观与纳米尺度物理
2022-01-07 v1
摘要
\ce{MoS_2}是一种二维材料，其带隙依赖于层数并可由外电场调控。该材料中实验观察到的层内带间隧穿与层间带间隧穿，为隧穿场效应晶体管中的新电子应用提供了机遇。然而，这一被广泛接受的概念从未得到基于第一性原理理论研究的支持。本工作中，我们利用密度泛函理论，结合非平衡格林函数技术以及由大规模计算方法实现的电场门控方法，研究平面与侧堆\ce{MoS_2} --结构型中能带对齐与透射的关系。我们证明了面内与层间电流均存在负微分电阻——隧穿二极管结的典型特征，并分析了该效应的物理起源。为透彻理解江崎二极管，我们还考察了静电势、范德瓦耳斯势垒及复能带分析。
引用
@article{arxiv.2201.02178,
title = {Insights to negative differential resistance in \texorpdfstring{MoS\textsubscript{2}}{MoS2} Esaki diodes: a first-principles perspective},
author = {Adam V. Bruce and Shuanglong Liu and James N. Fry and Hai-Ping Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.02178},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 8 figures