外延单层大面积连续二硫化钼生长的动力学与参数

Rakesh K. Prasad; Dilip K. Singh

外延单层大面积连续二硫化钼生长的动力学与参数

材料科学 2022-06-29 v1

作者: Rakesh K. Prasad , Dilip K. Singh

摘要

通过化学气相沉积(CVD)生长具有所需形貌的大晶粒连续单层材料如二硫化钼(MoS $_2$ )仍然是一项挑战。在CVD中，生长温度、前驱体和衬底性质等多种因素的复杂相互作用决定了所生长MoS $_2$ 单层的结晶度、晶粒尺寸和覆盖面积。在本工作中，我们报道了三氧化钼(MoO $_3$ )的质量分数、硫和载气流量对成核和单层生长的作用。发现MoO $_3$ 质量分数浓度控制自 seeding 过程并决定影响形貌和覆盖面积的成核位点密度。100 sccm氩气载气流量产生具有较低覆盖面积(70%)的大晶粒连续薄膜，而150 sccm流量产生92%覆盖面积但晶粒尺寸减小的薄膜。通过系统改变实验参数，我们确立了适用于光电子器件的大晶粒原子级薄MoS $_2$ 的生长方案。

关键词

二硫化钼化学气相沉积单层生长成核载气流量覆盖面积光电子器件

引用

@article{arxiv.2206.14151,
  title  = {Kinetics and Parameters of Epitaxial Monolayered Continuous large area Molybdenum disulfide Growth},
  author = {Rakesh K. Prasad and Dilip K. Singh},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2206.14151},
  year   = {2022}
}

备注

31 pages, 10 figures

外延单层大面积连续二硫化钼生长的动力学与参数

摘要

关键词

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