不同前驱体对二硫化钼化学气相沉积生长的影响
材料科学
2020-12-29 v1
摘要
控制化学气相沉积(CVD)生长的二硫化钼(MoS2)薄片的厚度、尺寸和面积对于器件应用至关重要。在此,我们报道了在SiO2/Si衬底上使用三种不同前驱体即三氧化钼(MoO3)、七钼酸铵(AHM)和碲(Te)进行MoS2的CVD合成的定量比较。针对MoO3前驱体,提出了MoO3微晶演化出MoS2的三步化学反应机理。此外,开发了一种基于生长温度和前驱体用量比例的策略,以系统控制MoS2薄片的厚度和面积。我们的研究结果表明,对于大尺寸结晶单层MoS2薄片,MoO3是比AHM和Te辅助合成更好的选择。而且,Te作为生长促进剂,可将生长温度降低250°C。该研究可进一步用于制备基于MoS2的高性能电子器件,如光电探测器、薄膜晶体管和传感器。
引用
@article{arxiv.2003.12300,
title = {Effect of different precursors on CVD growth of molybdenum disulfide},
author = {Aditya Singh and Monika Moun and Rajendra Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.12300},
year = {2020}
}