结构缺陷对基于石墨烯等离激元的分子传感器性能的影响

基于石墨烯的等离激元器件被认为适用于从中红外到太赫兹频率的众多应用。在这方面，在石墨烯的诸多特性中，众所周知其等离激元是可调谐的，并且相比于贵金属对应物表现出更强的限域以及更长的寿命。然而，由于石墨烯的二维特性，缺陷的存在可能比在块体贵金属中引起更强的影响。在此，我们从理论上研究石墨烯所承载的结构缺陷对局域等离激元相关品质因子的影响，这些品质因子对于基于等离激元的分子传感具有关键技术重要性。通过考虑一种优化后的石墨烯纳米结构，我们提供了一项比较分析，旨在阐明缺陷类型对石墨烯局域等离激元的影响，涉及由制备工艺或辐射暴露引起的不同类型常见缺陷。该理解将有助于工业界和学术界更好地确定基于石墨烯的分子传感的最合适应用。