Bernal堆叠双层石墨烯中的磁性杂质
强关联电子
2012-06-05 v1
摘要
我们通过非微扰数值精确方法研究了Bernal堆叠双层石墨烯中的磁性杂质。在我们研究的两种情况下，杂质放置在双层石墨烯中两个不同子晶格（A和B）的顶部。我们发现，与单层情况类似，通过改变化学势，杂质的磁矩仍可在很宽范围内调节。然而，由于Bernal堆叠导致的A和B子晶格之间的对称性破缺，杂质的性质强烈依赖于其位置。这种差异随着杂化增强和库仑排斥减小而变得更加明显。此外，我们计算了杂质谱密度以及杂质与导带电子之间的关联函数。所有计算结果都显示出对杂质位置的相同空间依赖性。
引用
@article{arxiv.1206.0541,
title = {Magnetic Impurity in Bernal Stacked Bilayer Graphene},
author = {J. H. Sun and F. M. Hu and H. K. Tang and H. Q. Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.0541},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 9 figures