通过石墨烯双层错向堆叠产生超过 1000 T 的磁场
介观与纳米尺度物理
2014-04-10 v2 材料科学
摘要
众所周知，石墨烯单层中的某些晶格变形会改变子晶格中的电子跳跃并影响电子的面内运动，从而诱导高达 100 T 的面外赝磁场。在此，我们证明石墨烯双层中的堆叠错向模拟了大于 1000 T 的巨大面内赝磁场对电子层间跳跃的影响。除了探讨面内赝磁场效应与扭曲对 Bernal 石墨烯双层电子能带结构影响的相似性外，我们还指出面内磁场（或扭曲）可以修改石墨烯双层的低能赝自旋纹理（赝自旋绕数从 2 减少到 1），从而将准粒子的手性从自旋 1 改变为自旋 1/2。我们的结果说明了通过引入面内磁场或扭曲来可控地操纵 Bernal 石墨烯双层电子性质的可能性。
引用
@article{arxiv.1308.5763,
title = {Creating Magnetic Fields in excess of 1000 T by Misoriented Stacking in a Graphene Bilayer},
author = {Wen-Yu He and Ying Su and Mudan Yang and Lin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.5763},
year = {2014}
}
备注
4 figures