双层石墨烯中的面内磁电响应
介观与纳米尺度物理
2019-08-19 v2
摘要
石墨烯双层展现出一种不寻常的磁电响应，其大小由谷同位旋密度控制，使得将磁电行为与谷电子学联系起来成为可能。作为对先前研究的补充，我们考虑平行于双层平面的静态均匀电场和磁场的效应。从紧束缚描述出发并使用准简并微扰理论，推导了包含全部相关磁电项的低能哈密顿量，其前因子用紧束缚参数表示。我们确认了一个预期的轴子型赝标量项的存在，其符号与先前得到的面外对应项相同且大小约为其两倍。此外，发现了磁电张量的小各向异性修正，其根本上与斜向层间跳跃参数相关。我们讨论了通过光学电导中的特征来识别磁电效应的可能方法。
引用
@article{arxiv.1905.07093,
title = {In-plane magnetoelectric response in bilayer graphene},
author = {Michael Kammermeier and Paul Wenk and Ulrich Zülicke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.07093},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 7 figures