调控双层石墨烯中的杂质态
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
我们利用格林函数方法研究了单位元极限下双层石墨烯中的杂质态。与单层石墨烯不同，双层石墨烯中两个非等价位置处的杂质会产生不同的杂质态，这被理解为电子层间跃迁导致的能带结构变化。此外，通过外加电场偏置改变双层石墨烯的能带结构，也可以对杂质态进行调控。
引用
@article{arxiv.0711.1168,
title = {Tuning impurity states in bilayer graphene},
author = {Hari P. Dahal and A. V. Balatsky and Jian-Xin Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.1168},
year = {2009}
}
评论
7 pages, 9 figures, sumbitted to PRB