通过杂质效应分类与区分扭转双层石墨烯中可能的绝缘相
介观与纳米尺度物理
2020-09-22 v1 强关联电子
摘要
本工作研究了扭转双层石墨烯（TBG）各种绝缘相中的杂质效应。我们采用被广泛接受的连续介质模型\cite{b}并计算了局域态密度（DOS）。发现先前理论\cite{pa,op1,Lee_2019}提出的破缺不同对称性的绝缘相，可通过局域 DOS 中杂质诱导的带隙内束缚态峰的数量与性质加以区分。破缺相同先前提出对称性的绝缘相，可进一步由剩余的反幺正对称性分类，并由束缚态相应的剩余 Kramers 简并度区分。局域 DOS 中的带隙内束缚态峰以及束缚态的简并度原则上可在扫描隧道显微镜（STM）实验中探测到，从而有助于区分各种绝缘相。
引用
@article{arxiv.2009.09670,
title = {Classification and Distinction of Possible Insulating Phases in Twisted Bilayer Graphene by Impurity Effects},
author = {Zhi-Qiang Gao and Fa Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.09670},
year = {2020}
}
备注
4+2 pages, 4 figures