石墨烯中近藤杂质的物理
强关联电子
2013-02-18 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
本文从理论视角总结了我们对石墨烯中近藤效应的理解。我们将描述在石墨烯中产生磁矩的不同方法,包括通过吸附原子沉积或通过缺陷实现。对于稀磁矩情形,其理论描述采用耦合至石墨烯狄拉克电子的有效安德森或近藤杂质模型。我们将详细讨论这些模型的物理性质,包括其量子相变和载流子掺杂效应,并将其与现有实验数据进行对比。最后,我们指出了其与其他量子杂质问题(例如非常规超导体、拓扑绝缘体和量子自旋液体中的问题)的联系。
引用
@article{arxiv.1208.3113,
title = {The Physics of Kondo Impurities in Graphene},
author = {Lars Fritz and Matthias Vojta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.3113},
year = {2013}
}
备注
27 pages, 8 figs. Review article prepared for Rep. Prog. Phys. ("key issues" section). (v2) Final version as published