石墨烯上氢诱导缺陷的磁结构
介观与纳米尺度物理
2012-03-07 v1
摘要
利用密度泛函理论 (DFT)、Hartree-Fock、精确对角化及数值重正化群方法，我们研究了化学吸附在石墨烯上的稀释氢原子的电子结构。通过比较 DFT 与 Hartree-Fock 计算，我们确定了缺陷磁结构的主要特征。利用这些信息，我们构建了一个 Anderson-Hubbard 模型，该模型捕捉了系统的主要物理要素，同时仍能对电子关联进行严格处理。我们发现，巨大的氢 - 碳杂化使缺陷结构介于弱耦合于原始石墨烯的吸附原子与碳空位之间。杂质的磁矩泄漏到石墨烯层中，其中碳原子上的电子关联在稳定磁解方面起着重要作用。最后，我们讨论了其对 Kondo 效应的意义。
引用
@article{arxiv.1112.2529,
title = {Magnetic Structure of Hydrogen Induced Defects on Graphene},
author = {J. O. Sofo and Gonzalo Usaj and P. S. Cornaglia and A. M. Suarez and A. D. Hernández-Nieves and C. A. Balseiro},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2529},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 10 figs