二维拓扑绝缘体中的量子点：双通道近藤不动点

本文研究了一个通过弱隧穿耦合到二维拓扑绝缘体两个螺旋边缘态的量子点。我们证明，如果边缘态上的电子相互作用是排斥性的，且Luttinger液体参数$K < 1$，则系统在低温下会流向一个稳定的双通道不动点。这与量子点耦合到两个Luttinger液体导线的情况形成对比。在后一种情况下，需要强的电子-电子排斥（$K<1/2$）才能达到双通道不动点。该双通道不动点由边界Sine-Gordon哈密顿量描述，并带有一个依赖于$K$的边界项。零温下的杂质熵为$\ln\sqrt{2K}$。当$2/3 < K < 1$时，杂质比热为$C \propto T^{\frac{2}{K}-2}$；当$K<2/3$时，$C \propto T$。我们还表明，由于重整化群流，穿过两个螺旋边缘的线性电导具有非平凡的溫度依赖性。