碱金属掺杂铁硫族化合物超导体中杂质诱导的带隙内束缚态
超导电性
2013-10-15 v1
摘要
测量杂质附近的局域态密度有助于识别碱金属掺杂铁硫族化合物超导体 K_xFe_{2-y}Se_2 的超导能隙结构。在此，我们研究了在最近邻 d 波和次近邻 s 波超导态中非磁性和磁性杂质的影响。对于排斥性和吸引性非磁性杂质，结果表明仅在 d 波超导体中存在带隙内束缚态，且这些束缚态的位置对电子掺杂水平相当敏感。此外，对于此类无序，库仑相互作用可在 d 波超导情况下导致局部的杂质诱导磁性。对于磁性杂质，s 波和 d 波超导态均支持带隙内束缚态。上述结果可通过一个简单的解析模型来解释，该模型提供了对杂质束缚态能量随杂质势和化学掺杂水平变化的半定量理解。
引用
@article{arxiv.1308.3887,
title = {Impurity-induced sub-gap bound gap states in alkali doped iron chalcogenide superconductors},
author = {Shantanu Mukherjee and Maria N. Gastiasoro and Brian M. Andersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.3887},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 7 figures