Hubbard 算符形式中的杂质诱导 Mott 环态与 Mott 零点环态
强关联电子
2025-10-23 v1
摘要
我们研究了强关联 Mott 绝缘体中亚能隙杂质态的形成。我们使用复合算符方法，使我们能够同时获取体格林函数以及存在杂质时的实空间格林函数。与非相互作用系统类似，我们表明在大杂质势下杂质亚能隙态（“Mott 环态”）的形成更多取决于能带混合，而不是系统的拓扑性质。因此，即使是平庸的 Mott 绝缘体在一定条件下也能表现出环态。对于这里研究的系统，能带混合是 holon 和 doublon 元激发之间的混合，而不是轨道混合。此外，我们研究了关联格林函数中零点能带的形成，这些零点能带被认为表现出自由准粒子行为。我们表明，在存在杂质的情况下可以得出相同的结论，即“Mott 零点环态”在存在拓扑零点能带时形成，但在存在具有能带混合的平庸准平坦零点能带时也会形成。
引用
@article{arxiv.2503.05870,
title = {Impurity-induced Mott ring states and Mott zeros ring states in the Hubbard operator formalism},
author = {Emile Pangburn and Anurag Banerjee and Catherine Pépin and Cristina Bena},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.05870},
year = {2025}
}