双栅非晶 InGaZnO 薄膜晶体管中的弱局域化与弱反局域化
介观与纳米尺度物理
2017-12-21 v1
摘要
我们通过调节双栅非晶 InGaZnO 薄膜晶体管的栅电压，控制弱局域化（WL）与弱反局域化（WAL）之间的竞争，展示了量子干涉的调控。我们的研究揭示了各自的 WL 和 WAL 贡献对沟道电导的一种引人注目的普适依赖关系的完整轮廓。该普适性被发现对界面无序具有鲁棒性。
引用
@article{arxiv.1712.07618,
title = {Weak Localization and Weak Antilocalization in Double-Gate a-InGaZnO Thin-Film Transistors},
author = {Wei-Hsiang Wang and Elica Heredia and Syue-Ru Lyu and Shu-Hao Liu and Po-Yung Liao and Ting-Chang Chang and Pei-hsun Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.07618},
year = {2017}
}
备注
to appear in IEEE Electron Device Letters