非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管中弱局域化与弱反局域化的竞争
介观与纳米尺度物理
2017-03-14 v1
摘要
我们研究了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管磁电导的栅压依赖性和温度依赖性。在较高磁场下整体负磁电导的背景上，于小磁场处观察到弱局域化特征。通过调节栅压或改变温度，观察到弱局域化与弱反局域化之间引人入胜的可控竞争。我们的发现反映了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电子系统中可控的量子干涉竞争。
引用
@article{arxiv.1703.04007,
title = {Competing weak localization and weak antilocalization in amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors},
author = {Wei-Hsiang Wang and Syue-Ru Lyu and Elica Heredia and Shu-Hao Liu and Pei-hsun Jiang and Po-Yung Liao and Ting-Chang Chang and Hua-Mao Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.04007},
year = {2017}
}