Nd1-xTiO3中空穴掺杂诱导的Anderson-Mott转变
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
研究了由钕空位引起的Mott-Hubbard反铁磁绝缘体Nd1-xTiO3的空穴掺杂诱导的绝缘体/金属转变，成分范围为0.010(6) < x < 0.243(10)。对于x < 0.071(10)，发现绝缘p型导电。对于0.074(10) < x < 0.089(1)的样品，在存在Mott-Hubbard能隙的情况下，Anderson局域化是主要的局域化机制。对于x < 0.089(1)，观察到n型导电，并且激活能外推到零在x < 0.1处。0.095(8) < x < 0.203(10)的样品是费米液体金属，并且在金属-绝缘体边界附近，强电子关联效应在诸如大的费米液体T2系数等特征中很明显。对于0.074(9) < x < 0.112(4)，在约15 K以下发现弱的负磁阻，这归因于传导电子与Nd3+磁矩的相互作用。结合我们对Nd1-xTiO3固溶体磁性质的伴随研究信息，提出了一个相图。主要结论是长程反铁磁序在金属行为出现之前消失，并且Anderson-Mott转变发生在有限的掺杂水平范围内。我们的结果不同于对空穴掺杂Nd1-xCaxTiO3体系的类似研究得出的结论，该研究发现反铁磁序和金属行为共存，并且Mott转变发生在离散的掺杂水平。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607282,
title = {The Anderson-Mott transition induced by hole-doping in Nd1-xTiO3},
author = {A. S. Sefat and J. E. Greedan and G. M. Luke and M. Niewczas and J. D. Garrett and H. Dabkowska and A. Dabkowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607282},
year = {2009}
}