利用强磁场分析欠掺杂$La_{2-x}Sr_xCuO_4$薄膜的超导涨落电导
超导电性
2007-05-23 v2
摘要
研究了欠掺杂铜氧化物中超导涨落对电导的贡献，即超导涨落电导。施加高达50 T的垂直磁场以抑制超导性并获得正常态电阻率，然后用于计算超导涨落电导。令人惊讶的是，它与临界温度附近高斯涨落的二维Aslamazov-Larkin（AL）区域一致。在更高温度下，超导涨落电导表现出温度的幂律下降（如），正如先前对欠掺杂和样品所显示的那样。我们的观察与Kosterlitz-Thouless涨落的存在不一致。这倾向于表明在赝隙态中，超导对振幅在以上尚未确定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611061,
title = {Analysis of the paraconductivity in underdoped $La_{2-x}Sr_xCuO_4$ thin films using high magnetic fields},
author = {B. Leridon and J. Vanacken and T. Wambecq and V. V. Moshchalkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611061},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 3 figures, 1 bib file