赝能隙超导体的涨落电导率

我们计算了具有大赝能隙（其大小远超转变温度$T_c$）的强无序超导体（维度$d=2,3$）模型的阿斯马拉佐夫-拉金涨落电导率$\sigma_{AL}(T)$。我们表明，在库珀对涨落的高斯近似内，涨落电导率恰好是相同$\epsilon = (T-T_c)/T_c$下经典AL结果的两倍。随着$\epsilon$减小，由于配对场的局域涨落在$\epsilon \leq \epsilon_1 \ll 1$时变得重要，高斯近似被破坏。特征尺度$\epsilon_1$远大于由金兹堡判据确定的热力学临界区的宽度$\epsilon_2$，即$\epsilon_2 \approx \epsilon_1^d$。我们认为在中间区域$\epsilon_2 \leq \epsilon \leq \epsilon_1$，涨落电导率遵循相同的AL幂律，但带有另一个（尚未知的）数值前因子。在温度进一步降低时，所有类型的涨落修正在$\epsilon \leq \epsilon_2$时变得强烈；特别地，电导率在实空间中呈现强非均匀性。