欠掺杂铜氧化物中的扩展超导涨落电导区
超导电性
2009-11-11 v1 强关联电子
摘要
我们重新审视了强各向异性超导铜氧化物中的输运实验，发现二维中的普适 Aslamazov-Larkin (AL) 超导涨落电导即使在赝隙交叉温度 T^* 以下的欠掺杂区域也出人意料地稳健。我们还确定了赝隙相中基本正常态电阻率随温度（几乎）线性变化，所有偏差均可由 AL 超导涨落电导定量解释。超导涨落电导的消失由与 T^* 相关的能量尺度上高斯对涨落的消失所决定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503705,
title = {Extended paraconductivity regime in underdoped cuprates},
author = {S. Caprara and M. Grilli and B. Leridon and J. Lesueur},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503705},
year = {2009}
}
备注
5 pages and 2 figures