利用双带超导理论系统表征MgB$_2$薄膜的上临界磁场

我们给出了利用分子束外延、多靶溅射和共蒸发沉积装置制备的各种MgB$_2$薄膜的上临界场 $H_{\rm c2}$ 的实验结果。在 $D_{\pi}/D_{\sigma}>1$ 的情况下，通过应用Gurevich脏双带超导理论成功分析了 $H_{\rm c2}(T)$ 的实验数据，其中 $D_{\pi}$ 和 $D_{\sigma}$ 分别是 $\pi$ 带和 $\sigma$ 带的带内电子扩散率。我们发现从分析中获得的参数与薄膜的超导转变温度 $T_{\rm c}$ 强烈相关。我们还讨论了由磁阻测量证实的在中等温度下转变宽度的反常变窄。