各向异性 MgB$_2$薄膜中涡旋动力学和临界电流密度的双带效应
超导电性
2013-03-05 v1 材料科学
摘要
我们报告了本征超导参数对 MgB薄膜涡旋动力学和临界电流密度的影响。T=4 K 时较小的磁穿透深度 \lambda = 50 nm 与干净的 \pi 带相关，输运和磁化数据显示其上临界场与报道的干净单晶相似。我们发现较高的自场临界电流密度 Jc，其随外加磁场显著降低，并将其归因于 \pi 带中超导性的抑制。低磁场下蠕变速率 S(T) 的温度依赖性可以用简单的 Anderson-Kim 机制解释。该系统在低场下表现出高的钉扎能，而在高场下被强烈抑制，这与双带贡献一致。
引用
@article{arxiv.1303.0352,
title = {Two-band effect on the vortex dynamics and critical current density in an anisotropic MgB$_2$ thin film},
author = {Jeehoon Kim and N. Haberkorn and E. Nazaretski and R. de Paula and X. X. Xi and T. Tajima and R. Movshovich and L. Civale},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.0352},
year = {2013}
}