激光烧蚀 Co_2(Mn,Fe)Si 薄膜中的霍尔效应
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
采用脉冲激光沉积技术生长了 Heusler 化合物 Co_2MnSi 和 Co_2FeSi 薄膜。在 MgO (100) 衬底上以及 Cr 或 Fe 缓冲层上均实现了外延生长。X 射线和电子衍射结构分析表明，两种材料均具有有序的 L2_1 结构。利用 SQUID 磁强计测定了体磁化强度，其值与半金属 Heusler 化合物的 Slater-Pauling 规则相符。对直接在衬底上生长的薄膜进行了霍尔效应测量。正常霍尔效应几乎与温度无关，表明费米面存在补偿。反常霍尔效应的贡献主要来源于斜散射。当价电子数从 29 (Mn) 变为 30 (Fe) 时，观察到正常霍尔系数和反常霍尔系数均出现显著的正负号变化。
引用
@article{arxiv.0809.4978,
title = {Hall effect in laser ablated Co_2(Mn,Fe)Si thin films},
author = {H. Schneider and E. Vilanova and B. Balke and C. Felser and G. Jakob},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.4978},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 6 figures submitted to J Phys D