窄禁带半导体InSb的弱场磁电阻
材料科学
2010-05-26 v1 无序系统与神经网络
量子物理
摘要
InSb的磁电阻已被广泛研究。我们在此进行的实验聚焦于InSb薄膜的弱场磁电阻。我们研究了InSb薄膜在垂直、倾斜以及平行磁场中的磁电阻。我们的结果验证了先前关于InSb薄膜中弱局域化效应的观测。此外，我们系统地研究了InSb磁电阻的各向异性。我们发现，面内磁场的存在可以有效抑制InSb薄膜的弱局域化效应。我们使用两种类型的模型对实验数据进行拟合，数据与模型之间的匹配非常出色。通过拟合过程，我们获得了相位相干时间和自旋-轨道散射时间的信息。还从拟合过程中提取了关于塞曼效应和样品粗糙度的信息。
引用
@article{arxiv.1005.4514,
title = {Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductors InSb},
author = {R. Yang and G. L. Yu and Yanhui Zhang and P. P. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.4514},
year = {2010}
}