NiMnSb/InSb中的负巨纵向磁电阻：一种界面效应
材料科学
2015-06-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了使用脉冲激光沉积（PLD）生长的多晶NiMnSb薄膜与n型简并InSb（100）衬底之间形成的接触的电学和磁输运性质。当外磁场平行于薄膜表面和电流方向时，观察到负巨磁电阻（GMR）效应。我们将观察到的现象归因于磁性薄膜沉积过程中形成并限制在界面狭窄层中的磁性沉淀物。这些沉淀物对磁电阻的影响取决于系统的热处理。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510284,
title = {Negative Giant Longitudinal Magnetoresistance in NiMnSb/InSb: An interface effect},
author = {S. Gardelis and J. Androulakis and Z. Viskadourakis and E. L. Papadopoulou and J. Giapintzakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510284},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 4 figures