窄带隙半导体 InSb 的弱场磁电阻
材料科学
2015-05-20 v1
摘要
研究了 InSb 薄膜在垂直和倾斜磁场中的弱反局域化效应。发现 InSb 薄膜具有准二维特征，且 Nyquist 机制主导退相干。通过系统研究弱场磁电阻相对于磁场的各向异性，进一步验证了二维性，并研究了粗糙度效应和 Zeeman 效应对弱反局域化效应的影响。还发现面内磁场的存在可以有效抑制 InSb 薄膜的弱反局域化效应，且粗糙度效应在各向异性中起着重要作用。
引用
@article{arxiv.1012.0968,
title = {Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb},
author = {R. Yang and K. H. Gao and Y. H. Zhang and P. P. Chen and G. Yu and L. M. Wei and T. Lin and N. Dai and J. H. Chu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.0968},
year = {2015}
}
备注
revised