垂直磁化薄膜中由畴壁倾斜引起的反对称磁电阻
材料科学
2021-08-23 v1 应用物理
摘要
我们报道了在梯度磁场驱动下具有非均匀磁化分布的垂直磁化 CoTb 薄膜中观察到的反对称磁电阻(MR)。通过同步表征输运测量过程中的畴形貌演化，我们证明了倾斜畴壁附近的非平衡电流导致了这种反常 MR。此外，理论计算与分析揭示，多畴结构的几何因子在产生非平衡电流中起主导作用。所明确建立的这种反常输运行为与特定畴壁几何之间的关联，对于深化理解反对称 MR 至关重要，并为设计新型畴壁电子器件铺平了新道路。
引用
@article{arxiv.2108.09096,
title = {Antisymmetric magnetoresistance due to domain wall tilting in perpendicular magnetized films},
author = {Yangtao Su and Yang Meng and Haibin Shi and Li Wang and Xinyu Cao and Ying Zhang and Runwei Li and Hongwu Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.09096},
year = {2021}
}