Hartree-Fock 赝势对第一性原理电子结构的影响
材料科学
2018-08-01 v1
摘要
密度泛函理论（DFT）在处理过渡金属等具有占据 d 态和氧等元素的局域态时会遇到严重困难。相比之下，Hartree-Fock（HF）方法对此类局域态可能是更好的途径。在此，我们发展可与 DFT 协同用于固体的 HF 赝势。其计算成本与标准 DFT 相当。对一系列具有多样物理性质的 II-VI、III-V 和 IV 族半导体的计算显示，含 d 电子体系的带隙得到可观测的改善，从而指向电子理论的一个新方向。
引用
@article{arxiv.1802.07052,
title = {Effect of Hartree-Fock Pseudopotential on the First-principles Electronic Structure},
author = {Hengxin Tan and Yuanchang Li and S. B. Zhang and Wenhui Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.07052},
year = {2018}
}
备注
4 figures