基于 PrMnO3 的无选择器 RRAM 中易失性电流骤升的温度依赖性
应用物理
2020-02-04 v1 系统与控制
系统与控制
摘要
基于 PrMnO3（PMO）的阻变随机存取存储器（RRAM）近来因其电流骤升而被考虑用于无选择器 RRAM 与神经形态计算应用。PMO 器件中的该电流骤升归因于器件中的热失控。因此，理解环境温度对 PMO 器件电流骤升的依赖关系，对于利用负微分电阻（NDR）的各种应用至关重要。在本文中，我们表征了直流 IV 的环境热依赖性，并建立了解析模型。首先，实验展示了 PMO 器件中与温度相关的电流-电压特性及阈值电压偏移。其次，建立了基于焦耳加热的热反馈模型，并耦合由空间电荷限制电流（SCLC）进行的电流输运，以解释实验观察到的 NDR 区域。最后，该模型成功预测了在一系列实验环境温度下的器件行为。作为 TCAD 的替代，这种紧凑而精确的直流模型为利用器件与系统级仿真进行存储与神经形态应用的理解与设计搭建了平台。
引用
@article{arxiv.2002.00703,
title = {Temperature Dependence of Volatile Current shoot-up in PrMnO3 based Selector-less RRAM},
author = {S. Lashkare and A. Bhat and U. Ganguly},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.00703},
year = {2020}
}
备注
4 pages, 8 figures